Образец для цитирования:
Афанасьев М. С., Митягин А. Ю., Чучева Г. В. Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2013. Т. 13, вып. 1. С. 7-9.
Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок
Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения ±50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.
1. Ковтонюк Н. Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник–диэлектрик. М. : Энергия, 1976.
2. Воротилов К. А., Мухортов В. М., Сигов А. С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. М. : Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
3. Афанасьев М. С., Иванов М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т. 51, № 7. С. 1259–1262.
4. Гольдман Е. И., Ждан А. Г., Чучева Г. В. Определение коэффициентов ионного переноса в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников по динамическим вольтамперным характеристикам деполяризации // ПТЭ. 1997. № 2. С.110–115.
