Образец для цитирования:
Чучева Г. В., Афанасьев М. С., Анисимов И. А., Георгиева А. И., Левашов С. А., Набиев А. Э. Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2012. Т. 12, вып. 2. С. 8-11.
Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов
Проведенные экспериментальные исследования позволяют заключить, что в структуре Ni/Ba0.8Sr0.2TiO3/MgO с линейными размерами 150 ×150 мм можно реализовать планарный конденсаторный элемент, вариативный по диапазону ёмкости от 0.02 до 3.0 пФ, в котором увеличение ёмкости достигается путем увеличения количества электродных секций.
1. Воротилов К. А., Мухортов В. М., Сигов А. С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. М. : Энергоатомиздат, 2011.
2. Спектор Н. Оценка допустимой мощности в полосковой линии // Полосковые системы сверхвысоких частот / пер. с англ. ; под ред. В. И. Сушкевича. М. : Иностр. лит., 1959. C.160–172.