Cite this article as:

Serdobintsev A. A., Venig S. B., Alexandrov V. A., Mitin D. M., Veselov A. G., Kiryasov O. A., Elmanov V. I. Formation of Modified Materials in Flows of Low-temperature Plasma. Izvestiya of Saratov University. New series. Series Physics, 2013, vol. 13, iss. 2, pp. 47-50. DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2013-13-2-47-50

Heading: 
Proceedings of International Scientific Seminar
UDC: 
621.793; 621.039.624
Language: 
Russian

Formation of Modified Materials in Flows of Low-temperature Plasma

Authors: 
Serdobintsev Aleksey Aleksandrovich, Saratov State University, 410012, Russia, Saratov, Astrakhanskaya street, 83, alexas80@bk.ru
Venig Sergey Borisovich, Saratov State University, 410012, Russia, Saratov, Astrakhanskaya street, 83, sergey.venig@gmail.com
Alexandrov Vladimir Alekseevich, Saratov State University, 410012, Russia, Saratov, Astrakhanskaya street, 83, alexandorvVA@gmail.com
Mitin Dmitry Michailovich, Saratov State University, 410012, Russia, Saratov, Astrakhanskaya street, 83, mitindm@mail.ru
Veselov Alexander G., Saratov Branch of Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences, 38, Zelenaya Str., Saratov 410019, Russia, alexas80@bk.ru
Kiryasov Olga Alexandrovna, Saratov Branch of Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences, 38, Zelenaya Str., Saratov 410019, Russia, alexas80@bk.ru
Elmanov Vladimir Ivanovich, Saratov Branch of Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences, 38, Zelenaya Str., Saratov 410019, Russia, alexas80@bk.ru
Abstract

In this paper the results of experimental studies are presented. The experiments were aimed to synthesis of materials with modified properties. A special technique of synthesis in low-temperature plasma flows allows controlling film material parameters. The possibility to control optical, morphological and electrophysical properties is shown by the examples of ZnO and Si films.

Key words: 
modified materials, low-temperature plasma, magnetron sputtering
DOI: 
https://doi.org/10.18500/1817-3020-2013-13-2-47-50
References

1. Бурылин Е. И., Веселов А. А., Веселов А. Г., Джумалиев А. С., Иванов С. Н., Кирясова О. А. Образование молекул и кластеров оксида цинка в квазизамкнутом объеме реактивной газоразрядной плазмы // ПЖТФ. 2000. Т. 26, вып. 7, С. 31–34.

2. Сердобинцев А. А, Веселов А. Г., Кирясова О. А. Свойства пленок оксида цинка, синтезированных в низкотемпературном плазменном разряде в условиях бомбардировки компонентами плазмы // ФТП. 2008. Т. 42, вып. 4. С. 496–499.

3. Сердобинцев А. А., Бурылин Е. И., Веселов А. Г., Кирясова О. А., Джумалиев А. С. Показатель преломления и постоянная решетки пленок оксида цинка, модифицированных в низкотемпературной плазме // ЖТФ. 2008. Т. 78, вып. 3. С. 83–85.

4. Вавилов В. Е., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М. : Наука, 1981. 368 с.

Full text (in Russian):
download
(downloads: 85)